반도체소자 report
페이지 정보
작성일 19-07-11 02:18
본문
Download : 반도체소자 레포트(2).hwp
레포트/공학기술
_hwp_01.gif)
_hwp_02.gif)
반도체소자 report
반도체소자 레포트 , 반도체소자 레포트공학기술레포트 , 반도체소자 레포트
설명
반도체소자,레포트,공학기술,레포트
Download : 반도체소자 레포트(2).hwp( 92 )
반도체 소자
1주차 과제課題
2017.09.10
201302735 남덕우
김동욱교수님
Semiconductor의 IC칩 point재료인 Wafer를 만드는 공정과정에 대해 요약하겠습니다. 그 후 다이아 커팅기를 이용하여 식은 Ingot을 균일한 두께로 얇게 절단하면 그 절단한 Ingot이 Wafer가 됩니다. 따라서 Lapping과 Polishing 기법을 활용하여 웨이퍼의 표면을 균일...
반도체 소자
1주차 과제課題
2xxx.09.10
201302735 남덕우
김동욱교수님
Semiconductor의 IC칩 point재료인 Wafer를 만드는 공정과정에 대해 요약하겠습니다. 이제 이 Ingot을 얇은 Wafer로 만들기 위해 Seed와 Ingot의 최하단부를 절단합니다. 이 때 negative PR인 경우 양각, positive PR인 경우 음각으로 패턴이 완성됩니다. 그 후 다이아 커팅기를 이용하여 식은 Ingot을 균일한 두께로 얇게 절단하면 그 절단한 Ingot이 Wafer가 됩니다. 따라서 모래로부터 정제된 Silicon을 얻기 위해 고온으로 녹인 후, Seed를 녹아있는 표면에 접촉시킨 후 회전시켜 들어 올리면 Ingot이라는 Silicon pillar가 형성이 됩니다. 하지만 이 웨이퍼는 표면이 거칠고 흠이 많기 때문에 우리가 알고 있는 IC칩의 형태로 이용되기 어렵습니다. 다음으로 공정 시 발생하는 impurities로부터 보호하기 위해 실리콘 표면에 산화막을 입힙니다. 따라서 Lapping과 Polishing 기법을 활용하여 웨이퍼의 표면을 균일하게 연마하여 우리가 알고 있는 형태로 만들게 됩니다. 그러면 시간이 경과됨에 따라 PR coating에서의 變化(변화)가 일어나게 되고 Mask layer과 PR coating을 제거하면 원하는 패턴을 얻을 수 있습니다. 이제 이 Ingot을 얇은 Wafer로 만들기 위해 Seed와 Ingot의 최하단부를 절단합니다. 이제 필요한 부분만 남겨두고 나머지는 없애야 하므로 Etching process로 넘어가야합니다. 다음으로 Spin coating 과정을 통해 PR을 coating하고 Mask를 씌운 후 원하는 Pattern을 만들기 위해서 Mask layer에 Alignment과정을 취해주고 나서 Exposure 시켜줍니다. 우선 Wafer는 Silicon으로 만들게 되는데 이 Silicon은 모래에서 풍부합니다. 우선 Wafer는 Silicon으로 만들게 되는데 이 Silicon은 모래에서 풍부합니다. 이 두 방식의 큰 차이점을 요약하자면 Wet etching은 상대적으…(생략(省略))
반도체소자 report
순서
다. 따라서 모래로부터 정제된 Silicon을 얻기 위해 고온으로 녹인 후, Seed를 녹아있는 표면에 접촉시킨 후 회전시켜 들어 올리면 Ingot이라는 Silicon pillar가 형성이 됩니다. 하지만 이 웨이퍼는 표면이 거칠고 흠이 많기 때문에 우리가 알고 있는 IC칩의 형태로 이용되기 어렵습니다. 이 단계에서는 反應(반응)하는 물질에 따라 Wet etching과 Dry etching으로 구분됩니다.
